UDP850

    UDP (Uniform Deposition and Plasma) 系统引进了TEER的专利技术CFUBMSIP（close field unbalanced magnetron sputter ion plating），优化沉积层的状况，使其致密度高，硬度高，并且有优异的结合强度。其英国专利号是2258343；美国专利号是5554519；欧洲专利号是0521045。
    UDP的优势在于：
　1、用高浓度的低能轰击粒子来沉积镀层
　2、沉积的镀层具有致密，非柱状晶结构，同时能保持很低的内应力
　3、在低温条件下沉积致密的镀层
　4、高效的粒子清洗使镀层有非常好的结合力
　5、非常容易沉积氮化物，碳化物，氧化物
　6、非常容易沉积先进的多层镀层
    另外，此设备另外一个突出特点是稳定性好，可重复性好，可镀出性能稳定均一，质量优异的薄膜。 UDP650和UDP850均采用光学粒子发射监测器监控反应镀层的沉积过程，特别设计的“PLASMAG”溅射源等都为高质量的镀层提供了可靠的设备条件。